SiT9003晶体振荡器
SiT9003是业界功耗最低的可编程扩频时钟振荡器,输出电平与LVCMOS / LVTTL兼容。 SiT9003是一款单芯片应用,可直接取代目前的扩频芯片和外部石英晶体。
◆提供1D110MHz范围内的任何频率点产品,精确到小数点后6位◆提供商用温度(-20°∽+ 70°),工业温度水平(-40°∽+ 85°)◆低周期抖动& lt; 30ps,支持睡眠,输出使能和关闭扩频三种模式◆频率变化容差:±50ppm; ±100ppm(关扩频功能)◆典型快速恢复时间为3ms◆LVCMOS / LVTTL电平兼容输出,睡眠电流小至0.4uA◆超强抗冲击和抗冲击,优异的温漂特性◆超过5亿小时的死区时间( MTBF)◆更高性能MEMS扩频振荡器应用推荐SiT9001系列◆差分MEMS扩展推荐用于频率振荡器应用SiT9002系列
频率(Khz):1-110MHz全温精度(PPM):±50 /±100 (扩展)工作温度(°C): - 20 + + 70,-40∽+ 85工作电压(V):1.8,2.5,2.8,3.3V工作电流(A):3.2mA(无负载测量,20MHz) ,VDD = 1.8V)EMI效率-12dB周期抖动(ps):<30ps扩频能力:中心扩频:±0.50%,±0.25%;降低扩频:-1%, - 0.5%封装尺寸(mm):7050,5032,3225,2520
●打印机●平板驱动器●PCI●微处理器
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◆提供1D110MHz范围内的任何频率点产品,精确到小数点后6位◆提供商用温度(-20°∽+ 70°),工业温度水平(-40°∽+ 85°)◆低周期抖动&amp; lt; 30ps,支持睡眠,输出使能和关闭扩频三种模式◆频率变化容差:±50ppm; ±100ppm(关扩频功能)◆典型快速恢复时间为3ms◆LVCMOS / LVTTL电平兼容输出,睡眠电流小至0.4uA◆超强抗冲击和抗冲击,优异的温漂特性◆超过5亿小时的死区时间( MTBF)◆更高性能MEMS扩频振荡器应用推荐SiT9001系列◆差分MEMS扩展推荐用于频率振荡器应用SiT9002系列
频率(Khz):1-110MHz全温精度(PPM):±50 /±100 (扩展)工作温度(°C): - 20 + + 70,-40∽+ 85工作电压(V):1.8,2.5,2.8,3.3V工作电流(A):3.2mA(无负载测量,20MHz) ,VDD = 1.8V)EMI效率-12dB周期抖动(ps):<30ps扩频能力:中心扩频:±0.50%,±0.25%;降低扩频:-1%, - 0.5%封装尺寸(mm):7050,5032,3225,2520
●打印机●平板驱动器●PCI●微处理器
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