导通电压VGS（th）P＆amp; 0，VGS（th）N＆amp; gt;通常需要两个MOS晶体管中的0个以确保VDD＆gt; | VGS（th）P | + V GS（th）N。如果输入vI为低电平（例如0V），则负载管导通，输入晶体管截止，输出电压接近VDD。
如果输入vI为高电平（如VDD），则输入管导通，负载管关闭，输出电压接近0V。总之，当vI为低电平时，vo为高电平;当vI为高电平时，vo为低电平，电路实现非逻辑运算，是非正确的栅极 - 逆变器。
1.电压传输特性和电流传输特性（1）CMOS逆变器的电压传输特性可分为五个工作区。工作区I：由于输入管被切断，vO = VDD处于稳定关闭状态。
工作区III：PMOS和NMOS都处于饱和状态，特性曲线突然变化，vI值等于阈值电压Vth。工作区域V：负载管被切断，输入管处于不饱和状态，因此vO≈0V处于稳定的开路状态。
（2）CMOS逆变器的电流传输特性曲线仅在工作区域III中，因为负载管和输入管都处于饱和导通状态，产生大电流。在其余情况下，电流非常小。
2.输入特性和输出特性3.功率特性（1）静态功耗极低。当稳定时，CMOS反相器在工作区I和工作区V中工作。
总有一个MOS晶体管处于截止状态，并且流过的电流是极小的漏电流。 （2）抗干扰能力强。
由于阈值电平约为0.5 VDD，当输入信号改变时，转换变化陡峭，因此低电平噪声容限和高电平噪声容限大致相等，并且随着电源的增强，抗干扰能力增强电压增加。 （3）高功率利用率。
VOH = VDD，并且因为阈值电压随VDD变化，所以允许VDD具有宽范围的变化，通常为+3至+ 18V。 （4）输入阻抗高，负载能力强。