铁电晶体材料的工作原理是：当我们将电场加载到铁电晶体材料上时，晶体阵列中的中心原子沿着电场方向移动并达到稳定状态。晶格中的每个自由漂浮的中心原子只有两个稳定状态，一个写为逻辑0，另一个写为逻辑1.中心原子在常温下没有电场就可以保持这种状态一百多年页。
由于整个物理过程中没有任何原子碰撞，铁电存储器（FRAM）具有高速读写，超低功耗和无限写入。 ●采用2048×8位存储结构; ●读写时间高达100亿次; ●55°C时10年的数据存储容量; ●无延迟写入数据; ●先进的高可靠性铁电存储●连接方式为高速串行接口（SPI）总线模式，具有SPI模式0和3模式; ●总线频率高达5MHz; ●直接替换硬件中的EEPROM; ●先进的写保护设计，包括硬件保护和软件保护的双重保护; ●低功耗，待机电流仅10μA; ●单电源+ 5V电源; ●工业温度范围：-40°C至+ 85°C; ●8引脚SOP或DIP封装基于上述特性，FRAM存储器非常适合非易失性，需要经常快速地存储数据。
应用包括需要严格的写周期时序和工业控制的数据采集系统，其中EEPROM可能由于其长写周期而导致数据丢失。 （1）早期FRAM读/写速度不同，写入时间较长，应注意使用。
最近的FRAM读/写速度是相同的。例如，上述FM1808的读/写时间为70 ns。
通常，读/写时间短，连续读/写周期更长。例如，Ramtron最近推出的128 K x 8位FRAM芯片FM20L08的读/写时间为60 ns，连续读/写周期为150 ns。
对于大多数IPC而言，这仍然是足够的。 （2）FRAM在功耗和写入速度等方面远远优于EPROM或EEPROM。
这里特别提到的是写入次数，FRAM远大于EPROM或EEPROM。 EPROM的写入次数约为10,000次，EEPROM的写入次数通常为10,000至100,000次，单个芯片的写入次数可达100万次。
早期的FRAM写入数百亿次，当前的芯片可以达到teraflops甚至无限次。 （3）在FRAM系列中，除了上述并行FRAM芯片之外，还有串行FRAM芯片。
与串行EEPROM一样，串行FRAM只能用作外部存储器。显然，可以使用串行FRAM构建IC卡。
以FM25C160为例，SPI协议具有可控制的操作命令。当片选信号有效（/ CS = 0）时，FM25C160操作的第一个字节是命令字，后跟11位有效地址和发送数据。
FM25C160操作指令集（如表2所示）共有六条指令，可分为三类：第一类是不接受任何操作数的指令。这种类型的指令用于完成特定功能。
包括WREN和WRDI;第二种类型后跟一个指令字节，可用于完成状态寄存器的操作。包括RDSR和WRSR;第三种类型是读取和写入存储器的指令，后跟存储器地址和一个或多个地址数据。
包括READ和WRITE。所有指令，地址和数据首先在MSB（最高有效位）中传输。
点击查看原始图像FRAM技术的多功能性满足许多不同的应用。显然，更高的读写时间和更快的读写速度使FRAM在多可编程应用中优于EEPROM性能。
其应用包括：数据采集和记录，配置/配置数据（配置/设置数据），非易失性缓冲（缓冲）存储器以及SRAM更换和扩展。下面给出AT89C51单片机和FM25C160的接口电路图以及对FM25C160的写操作流程图。
应用系统可以将控制系统的重要参数存储在FM25C160芯片的400H~7FFH地址范围内，并为用户留下剩余的000H~3FFH。