请注意+星公共帐户，不要错过令人兴奋的内容。转移自：请记住Cheng Electronics Design三极管简介三极管是一种晶体管。
晶体管的三个极是基极，发射极和集电极。 。
以下是NPN晶体管的等效电路。在BE之间是一个二极管，在CE之间相当于一个可调电阻，其电阻可以从几欧姆到无穷大（开路）。
NPN的特性方程：Ic =βib，NPN的Ib从B到E，Ic从C到E，β是晶体管本身的放大倍率，可以将其视为取决于生产工艺的常数，其值时间范围从数十到数百不等。应当注意，通过在CE之间改变等效电阻Rce，晶体管只能达到Ic ＝βib。
如果Rce下降到最小值，则不能达到Ic ＝βib，这被称为“饱和”。如果Rce增加到最大值，则将无法实现。
Ic ＝βib，称为“截止”。如果晶体管实现Ic =βib，则称为在放大区域工作的晶体管。
由NPN三极管构成的恒流源的放电电路如下。将电阻器连接到已充电的电容器。
放电电流为Ic = Uc / R。由于Uc持续减小，因此放电电流不是恒定的。
如下图所示，它是一个电容器恒流放电电路。 IC值可以计算为1mA，这与电容器的电压无关。
Ve = 5-0.7V = 4.3VIc≈Ie= Ve / Re = 4.3 / 4.3 = 1mA其中，Ve = 5-0.7V = 4.3V一定成立，而Ic≈Ie= Ve / Re是满足条件的前提等式的建立是放大区域中的晶体管，即，Ic ＝βIb。由于β通常是数量级的100倍，所以建立了Ie ＝ Ic +Ib≈Ic。
解决三极管电路的步骤1.首先假设三极管在放大区域工作，满足Ic =βIb和Ic≈Ie； 2.然后，根据计算结果，反推Uce的值是否合理，并判断先前的假设是否合理。如下图所示，假设电容器上的电压为10V，则可以得到Uce = 10-4.3 = 5.7V，Rce = 5.7V / 1mA = 5.7K，即可以理解为晶体管将Rce调整为5.7K。
电容器的放电可以保持在1mA。以相同的方式，假设电容器的电压为8V，则可以得到Uce ＝ 8 ＝ 4.3 ＝ 3.7V。
Uce的电压也是合理的，Rce ＝ 3.7K，也就是说，可以理解的是晶体管将Rce调整为3.7K以使电容器的放电保持在1mA。当电容器上的电压降低到3V时，将获得Uce = 3-4.3 = -1.3V。
显然，这是不合理的。换句话说，如果Rce减小到0欧姆，则不能满足Ic ＝βIb。
我认为Uce可以降低到0V。可以计算出最低的电容器电压Ucmin = Ve = 4.3V，以满足恒定电流放电。
总而言之，当电容器电压高于4.3V时，晶体管可以在放大区域工作，并以恒定电流对电容器放电。当电容器电压低于4.3V时，三极管在饱和区工作。
实际上，作为半导体，CE之间的电阻下降远小于0Ω，因此一般的Uce电压只能下降到0.2V左右，这称为饱和管电压降Uces。摘要：首先假定晶体管工作在放大区域，满足Ic =βIb和Ic≈Ie；然后根据计算结果，反过来确定Uce的值是否合理，Uce是否合理，不需要改变原来的计算。
将存在更多条件，例如Uce = 0V或Uce = 0.2V（请参见是否忽略了饱和管的压降），并且还可以重新解析电路。由PNP晶体管组成的恒流源充电电路。
使用NPN晶体管不可能实现恒流源充电电路。必须使用PNP晶体管。
以下是PNP晶体管的等效电路图。 PNP的特性方程电流Ib从E到B，Ic从E到C。
PNP晶体管设计电路的原理不建议直接使用PNP管设计电路。相反，请首先使用NPN管设计电路。
然后，可以从NPN管电路转换PNP管电路。转换原理如下：1.交换VCC和GND。
2.反转电路中方向组件的正负方向。 3.用P管替换N管。
以下是由NPN晶体管组成的放电恒流源电路，将PNP晶体管转换为PNP晶体管后即可获得PNP晶体管充电恒流源电路。以下是恒流充电电路，负载为R，并且。