MEMS封装形式和技术主要来源于IC封装技术。 IC封装技术的发展历史和水平代表了整个封装技术（包括MEMS封装和光电器件封装）的发展历史和水平。
目前，MEMS封装中最常用的封装形式包括无铅陶瓷芯片载体封装（LCCC-Leadless Ceramic Chip Carrier），金属封装，金属陶瓷封装等，其中IC封装，球栅阵列封装（BGA-Ball Grid）阵列，FCT倒装芯片技术，CSP芯片尺寸封装和MCM多芯片模块已逐渐成为MEMS封装的主流，而BGA封装的主要优势在于它使用了面阵终端封装，因此使用QFP（四方扁平封装）时，在相同端子的情况下，增加了端子间距（1.00mm，1.27mm，1.50mm），极大地提高了装配性能，使其得以开发和推广。 BGA将成为电路组件的主流基础设施，从某种意义上说，FCT是芯片级的互连技术（其他互连技术包括引线键合，载带自动键合），但由于其高性能， I / O数量和低成本特征，特别是其作为“裸芯片”的优点，已被广泛用于各种MEMS封装中。
CSP的英文含义是封装尺寸与裸芯片相同，或者封装尺寸比裸芯片稍大。日本电子工业协会规定，对于CSP，芯片面积与封装尺寸面积之比大于80％。
CSP和BGA的结构基本相同，但是焊球的直径和焊球的中心距离减小且更薄，因此在相同的封装尺寸下可以有更多的I / O数量，从而进一步改善了装配密度。可以说，CSP减少了。
BGA。 MCM封装中最常用的两种方法是高密度互连（HDI）和微芯片模块D（微芯片模块D，MCM-D）封装技术。
高密度互连（HDI）MEMS封装的特征在于，将芯片嵌入衬底的空腔中，并在芯片顶部形成薄膜互连结构。微模块系统的MCM-D软件包是更传统的软件包。
它的芯片位于衬底的顶部，并且芯片和衬底之间的互连是通过引线键合实现的。 HDI工艺对于MEMS封装具有很大的优势。
与引线键合相比，由于使用直接金属化，芯片互连仅产生非常低的寄生电容和电感，并且工作频率可以达到1GHz以上。 HDI还可以扩展到三维封装，并且焊点可以分布在芯片表面上的任何位置，并且MCM具有可修复的特性。