在本月中旬，在日本东京举行的ITF论坛上，比利时半导体研究机构IMEC与ASML合作开发光刻机，宣布了微尺度3nm及以下工艺的技术细节。从IMEC发布的细节可以看出，到目前为止，ASML已经为3m，2nm，1.5nm，1nm甚至Sub 1nm制定了清晰的路由计划。
据说，目前台积电和三星的7nm和5nm制造中已经引入了NA = 0.33的EUV曝光设备。 2nm之后，需要使用更高分辨率的曝光设备，即NA = 0.55。
幸运的是，ASML已经完成了0.55NA曝光设备（即NXE：5000系列）的基本设计，并有望在2022年实现商业化。该报告还指出，在1nm时代，光刻机的数量将大大增加。
比现有产品。这主要是由于光学装置的扩大。
此外，洁净室指数也已达到上限。 21ICists注意到，作为EUV光刻机的唯一全球供应商，目前正在出售的两种极端紫外线光刻机是TWINSCAN NXE：3400B和TWINSCAN NXE：3400C。
3600D计划于明年年中发货。生产效率将提高18％。