人类社会的进步离不开社会各界的努力，而各种电子产品的升级离不开设计师的努力。实际上，许多人并不了解电子产品的组成，例如650VCoolMOS。
™CFD7。在SMPS的工业应用设计中，最新的技术趋势将从整体上考虑高效率，高功率密度和总线电压上升的要求，因此触发了对650V击穿电压功率器件的需求。
Infineon Technologies Co.，Ltd.（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）的650VCoolMOS™CFD7产品系列可以满足上述需求。该器件适用于软交换应用中的谐振拓扑，例如电信电源，服务器，太阳能和车外电动车辆充电。
对于常规的VDMOS器件结构，Rdson与BV之间存在矛盾关系。为了增加BV，其全部目的在于降低EPI掺杂浓度，但是外延层是正向电流流经的通道，因此EPI掺杂浓度降低了。
电阻将不可避免地变大，Rdson将变大。新的650V器件扩展了著名的CoolMOSCFD7系列的电压范围，并且是CoolMOSCFD2的后继产品。
新的650V产品可以与LLC和零电压开关相移全桥拓扑相匹配，与上一代产品相比，它可以提供许多优势。该产品系列的击穿电压提高了50V，采用了集成的高速体二极管技术和更好的开关性能，非常适合现代设计。
极低的反向恢复电荷和出色的热性能也增加了更多优势。 Rdson直接确定MOS单体的损耗。
因此对于普通的VDMOS来说，两者之间的矛盾是无法调和的，这是常规VDMOS的局限性。开关损耗对RDS（on）过热的依赖性大大降低，并且该产品系列具有出色的硬型整流耐久性。
由于改善了栅极电荷（Qg）和快速开关性能，650VCoolMOSCFD7系列可以提高整个负载范围的效率。在主要的SMPS应用中，与竞争产品相比，这些MOSFET具有出色的轻载效率，并且满载效率也得到了提高。
此外，同级最低的RDS（on）还使客户能够以极具竞争力的价格提高SMPS的功率密度。对于COOLMOS，通过在EPI的深处设置一个P区域，可以在不影响Rdson的情况下大大提高BV。
对于常规的VDMOS，反向耐压主要取决于N型EPI与主体区域之间的PN结。对于PN结，耐压主要取决于耗尽区。
末端区域扩展宽度的面积。本文只能使您对650VCoolMOS™CFD7有初步的了解。
这对您入门很有帮助。同时，您需要继续进行总结，以便提高您的专业技能。
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